企业简介
无锡来燕微电子有限公司 main business:集成电路IP的开发与转让；物联网技术开发与技术转让；计算机软硬件的研发、设计、销售；电子产品、集成电路的研发、设计、测试服务、销售；应用电路方案的设计销售；自营和代理各类商品和技术的进出口（国家限定公司或禁止进出口的商品和技术除外）。 （依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 无锡新区长江路21-1号无锡国家集成电路设计园（创源大厦）208-3、208-4室.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
无锡来燕微电子有限公司的工商信息
- 913202145767459889
- 在业
- 有限责任公司（法人独资）
- 2011-06-23
- FANG ADA ZHAO
- 300万元人民币
- 2011-06-23 至 永久
- 无锡市新吴区市场监督管理局
- 2016-05-04
- 无锡新区长江路21-1号无锡国家集成电路设计园（创源大厦）208-3、208-4室
- 集成电路IP的开发与转让；物联网技术开发与技术转让；计算机软硬件的研发、设计、销售；电子产品、集成电路的研发、设计、测试服务、销售；应用电路方案的设计销售；自营和代理各类商品和技术的进出口（国家限定公司或禁止进出口的商品和技术除外）。 （依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
无锡来燕微电子有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 无锡来燕微电子有限公司 | http://www.advancesunrise.com |
无锡来燕微电子有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 10742901 |  |
LAIYAN | 2012-04-09 | 半导体；晶片(硅片) | 查看详情 |
| 2 | 11950257 |  |
MTPHR | 2012-12-25 | 计算机存储装置；半导体；晶片(硅片)；电子芯片；集成电路卡；集成电路；芯片(集成电路)；半导体器件；USB闪存盘；计算机 | 查看详情 |
| 3 | 10742938 |  |
WXLY | 2012-04-09 | 计算机存储装置；半导体；晶片(硅片)；集成电路；芯片(集成电路)；电子芯片；半导体器件；计算机；集成电路卡；USB闪存盘 | 查看详情 |
| 4 | 12434222 |  |
OTPHR | 2013-04-16 | 计算机存储装置;计算机;半导体;半导体器件;集成电路用晶片;电子芯片;集成电路卡;集成电路;芯片(集成电路); | 查看详情 |
| 5 | 11950304 |  |
MTPECC | 2012-12-25 | 计算机存储装置；半导体；晶片(硅片)；电子芯片；集成电路卡；集成电路；芯片(集成电路)；半导体器件；USB闪存盘；计算机 | 查看详情 |
| 6 | 12433765 |  |
GREEN MTP | 2013-04-16 | 计算机存储装置;半导体;集成电路用晶片;电子芯片;集成电路卡;集成电路;芯片(集成电路);半导体器件;计算机;USB闪存盘; | 查看详情 |
| 7 | 12434103 |  |
OTPECC | 2013-04-16 | 计算机存储装置;计算机;半导体;半导体器件;集成电路用晶片;电子芯片;集成电路卡;集成电路;芯片(集成电路);USB闪存盘; | 查看详情 |
无锡来燕微电子有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104465662B | 一种具有单层多晶的EEPROM及其制备方法 | 2017.04.12 | 本发明涉及一种EEPROM及其制备方法，尤其是一种具有单层多晶的EEPROM及其制备方法，属于半导体 |
| 2 | CN102709294B | 一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2015.06.17 | 本发明涉及一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体及其制备方法，其半导体基板内的上部设有记忆体细胞；记忆 |
| 3 | CN102709295B | 与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2015.06.17 | 本发明涉及一种与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体及其制备方法，其包括半导体基板，所述半导体基板内 |
| 4 | CN104503532A | 一种电荷泵参考电压的产生电路 | 2015.04.08 | 本发明涉及一种电荷泵参考电压的产生电路，属于集成电路的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述电荷泵 |
| 5 | CN204243039U | 一种具有单层多晶的EEPROM | 2015.04.01 | 本实用新型涉及一种EEPROM，尤其是一种具有单层多晶的EEPROM，属于半导体的技术领域。按照本实 |
| 6 | CN104465662A | 一种具有单层多晶的EEPROM及其制备方法 | 2015.03.25 | 本发明涉及一种EEPROM及其制备方法，尤其是一种具有单层多晶的EEPROM及其制备方法，属于半导体 |
| 7 | CN102568577B | 与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体阵列及操作方法 | 2015.01.14 | 本发明涉及一种与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体阵列及操作方法，其包括行记忆体细胞群组及列记忆体 |
| 8 | CN102751286B | 与深亚微米CMOS逻辑工艺兼容的嵌入式动态存储器及制备方法 | 2014.09.03 | 本发明涉及一种嵌入式动态存储器及制备方法，尤其是一种与深亚微米CMOS逻辑工艺兼容的嵌入式动态存储器 |
| 9 | CN102723333B | 一种具有P+浮栅电极的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2014.09.03 | 本发明涉及一种具有P+浮栅电极的非挥发性记忆体及其制备方法，其半导体基板内的上部设有记忆体细胞；记忆 |
| 10 | CN102664040B | 一种高速和低功耗快闪存储器架构及操作方法 | 2014.08.13 | 本发明涉及一种高速和低功耗快闪存储器架构及操作方法，其包括若干存储分块，每列存储分块组均通过相应的G |
| 11 | CN203415578U | 一种低成本的单一多晶架构且没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体 | 2014.01.29 | 本实用新型涉及一种低成本的单一多晶架构且没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体，包括半导体基板；所述半导体基 |
| 12 | CN102544074B | 与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2013.12.18 | 本发明涉及一种与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体及其制备方法，其包括半导体基板；半导体基板内的上 |
| 13 | CN102544122B | 一种具有P+单一多晶架构的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2013.12.18 | 本发明涉及一种具有P+单一多晶架构的非挥发性记忆体及其制备方法，其包括半导体基板及记忆体细胞，记忆体 |
| 14 | CN203260581U | 一种低成本的单一多晶架构的非挥发性记忆体 | 2013.10.30 | 本实用新型涉及一种低成本的单一多晶架构的非挥发性记忆体，其包括半导体基板及记忆体细胞，记忆体细胞包括 |
| 15 | CN203242625U | 一种嵌入式非挥发性记忆体 | 2013.10.16 | 本实用新型涉及一种嵌入式非挥发性记忆体，其包括半导体基板及记忆体细胞，记忆体细胞包括没有轻掺杂区域的 |
| 16 | CN103296028A | 一种低成本的单一多晶架构且没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2013.09.11 | 本发明涉及一种低成本的单一多晶架构且没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体及其制备方法，其包括半导体基板及记 |
| 17 | CN203165473U | 一种有多个规格等级可以选择的记忆体 | 2013.08.28 | 本实用新型涉及一种有多个规格等级可以选择的记忆体，包括若干存储比特单元相对应的控制单元，存储比特的位 |
| 18 | CN203150547U | 一种具有P+没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体 | 2013.08.21 | 本实用新型涉及一种具有P+没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体，其包括半导体基板及记忆体细胞，记忆体细胞包 |
| 19 | CN203118948U | 一种非挥发性记忆体 | 2013.08.07 | 本实用新型涉及一种非挥发性记忆体，其包括半导体基板及记忆体细胞，记忆体细胞包括PMOS晶体管、控制电 |
| 20 | CN203118949U | 一种P+单一多晶架构非挥发性记忆体 | 2013.08.07 | 本实用新型涉及一种P+单一多晶架构非挥发性记忆体，其包括半导体基板及记忆体细胞，记忆体细胞包括PMO |
| 21 | CN203038673U | 一种可以改换成多个规格要求等级的记忆体 | 2013.07.03 | 本实用新型涉及一种可以改换多个规格要求等级的记忆体，由若干存储比特单元相对应的控制单元，存储比特的位 |
| 22 | CN103178069A | 一种低成本的单一多晶架构的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2013.06.26 | 本发明涉及一种低成本的单一多晶架构的非挥发性记忆体，其包括半导体基板及记忆体细胞，记忆体细胞包括PM |
| 23 | CN202998008U | 一种芯片內部产生的自动调节频率的振荡时钟 | 2013.06.12 | 本实用新型所述一种芯片內部产生的自动调节频率的振荡时钟，至少包括振荡时钟发生器,用来控制不同频率时钟 |
| 24 | CN202998007U | 一种芯片內部产生的稳定振荡时钟 | 2013.06.12 | 本实用新型所述一种芯片內部产生的稳定振荡时钟，至少包括振荡时钟发生器（OSC generator）, |
| 25 | CN103022044A | 一种具有选择器晶体管的P+单一多晶架构的嵌入式非挥发性记忆体及其制备方法 | 2013.04.03 | 本发明涉及一种具有选择器晶体管的P+单一多晶架构且与CMOS工艺相兼容的嵌入式非挥发性记忆体及其制备 |
| 26 | CN103023432A | 一种芯片內部产生的自动调节频率的振荡时钟及其设计方法 | 2013.04.03 | 本发明所述一种芯片內部产生的稳定振荡时钟，至少包括振荡时钟发生器（OSC generator），用来 |
| 27 | CN103022045A | 一种具有P+且PMOS晶体管没有轻掺杂区域的单一多晶架构的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2013.04.03 | 本发明涉及一种具有P+且PMOS晶体管没有轻掺杂区域的单一多晶架构的非挥发性记忆体及其制备方法，其包 |
| 28 | CN103022043A | 一种具有选择器晶体管的P+单一多晶架构且没有轻掺杂区域的嵌入式非挥发性记忆体及其制备方法 | 2013.04.03 | 本发明涉及一种具有选择器晶体管的P+单一多晶架构且没有轻掺杂区域且与CMOS工艺相兼容的嵌入式非挥发 |
| 29 | CN103022046A | 一种具有P+单一多晶架构且与CMOS工艺相兼容的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2013.04.03 | 本发明涉及一种具有P+单一多晶架构的非挥发性记忆体及其制备方法，其包括半导体基板及记忆体细胞，记忆体 |
| 30 | CN102969020A | 一种有多个规格等级可以选择的记忆体及其操作方法 | 2013.03.13 | 本发明涉及一种有多个规格等级可以选择的记忆体及其操作方法，若干存储比特单元及存储比特相对应的控制单元 |
| 31 | CN102969021A | 一种可以改换成多个规格要求等级的记忆体和及其操作方法技术领域 | 2013.03.13 | 本发明涉及一种可以改换多个规格要求等级的记忆体及其操作方法，若干存储比特单元及存储比特相对应的控制单 |
| 32 | CN102938634A | 一种芯片內部产生的稳定振荡时钟及其设计方法 | 2013.02.20 | 本发明所述一种芯片內部产生的稳定振荡时钟，至少包括振荡时钟发生器（OSC generator），用来 |
| 33 | CN202736919U | 一种非挥发性记忆体 | 2013.02.13 | 本实用新型涉及一种非挥发性记忆体，其包括半导体基板，半导体基板内的上部设有若干用于存储的记忆体细胞， |
| 34 | CN202712189U | 与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体 | 2013.01.30 | 本实用新型涉及一种与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体，其包括半导体基板，所述半导体基板内的上部设 |
| 35 | CN202712187U | 一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体 | 2013.01.30 | 本实用新型涉及一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体，其半导体基板内的上部设有记忆体细胞；记忆体细胞包 |
| 36 | CN202712188U | 一种具有P+浮栅电极的非挥发性记忆体 | 2013.01.30 | 本实用新型涉及一种具有P+浮栅电极的非挥发性记忆体，其半导体基板内的上部设有记忆体细胞；记忆体细胞包 |
| 37 | CN102751286A | 与深亚微米CMOS逻辑工艺兼容的嵌入式动态存储器及制备方法 | 2012.10.24 | 本发明涉及一种嵌入式动态存储器及制备方法，尤其是一种与深亚微米CMOS逻辑工艺兼容的嵌入式动态存储器 |
| 38 | CN102738170A | 一种非挥发性记忆体及其制备方法 | 2012.10.17 | 本发明涉及一种非挥发性记忆体及其制备方法，其包括半导体基板，半导体基板内的上部设有若干用于存储的记忆 |
| 39 | CN102723333A | 一种具有P+浮栅电极的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2012.10.10 | 本发明涉及一种具有P+浮栅电极的非挥发性记忆体及其制备方法，其半导体基板内的上部设有记忆体细胞；记忆 |
| 40 | CN202487577U | 与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体 | 2012.10.10 | 本实用新型涉及一种与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体，其包括半导体基板；半导体基板内的上部设有若 |
| 41 | CN102709294A | 一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2012.10.03 | 本发明涉及一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体及其制备方法，其半导体基板内的上部设有记忆体细胞；记忆 |
| 42 | CN102709295A | 与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2012.10.03 | 本发明涉及一种与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体及其制备方法，其包括半导体基板，所述半导体基板内 |
| 43 | CN202434528U | 一种具有P+单一多晶架构的非挥发性记忆体 | 2012.09.12 | 本实用新型涉及一种具有P+单一多晶架构的非挥发性记忆体，其包括半导体基板及记忆体细胞，记忆体细胞包括 |
| 44 | CN202434521U | 与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体阵列 | 2012.09.12 | 本实用新型涉及一种与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体阵列，其包括行记忆体细胞群组及列记忆体细胞群 |
| 45 | CN102664040A | 一种高速和低功耗快闪存储器架构及操作方法 | 2012.09.12 | 本发明涉及一种高速和低功耗快闪存储器架构及操作方法，其包括若干存储分块，每列存储分块组均通过相应的G |
| 46 | CN102568577A | 与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体阵列及操作方法 | 2012.07.11 | 本发明涉及一种与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体阵列及操作方法，其包括行记忆体细胞群组及列记忆体 |
| 47 | CN102544074A | 与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2012.07.04 | 本发明涉及一种与CMOS逻辑工艺兼容的非挥发性记忆体及其制备方法，其包括半导体基板；半导体基板内的上 |
| 48 | CN102544122A | 一种具有P+单一多晶架构的非挥发性记忆体及其制备方法 | 2012.07.04 | 本发明涉及一种具有P+单一多晶架构的非挥发性记忆体及其制备方法，其包括半导体基板及记忆体细胞，记忆体 |
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 无锡来燕微电子有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 无锡来燕微电子有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
猜你喜欢